黄昆(中国物理学家_中国科学院院士)_半导体_中国科学院_理论

黄昆简介

黄昆（1919～2005），中国物理学家，中国科学院院士。

原籍浙江嘉兴，1919年9月2日生于北京。

1941年毕业于燕京大学物理系，1944年获北京大学硕士学位。

1945年赴英国留学，1947年获布里斯托尔大学（Bristol）博士学位。

后在英国爱丁堡大学物理系、利物浦大学理论物理系进行科学研究。

1951年回国。

历任北京大学教授、物理系副主任、半导体教研室主任，中国科学院半导体研究所所长，中国物理学会理事长，瑞典皇家科学院外籍院士，第三世界科学院院士，中国科学院学部主席团成员等职。

曾任全国政协常务委员。

1949－1951年在英国利物浦大学理论物理系任博士后研究员，1951－1977年在北京大学物理系任教授，1977－1983年任中国科学院半导体研究所所长，1983－2005年，任名誉所长。

他先后被选为中国科学院学部委员（院士）（1955年），瑞典皇家科学院外籍院士（1980年），第三世界科学院院士（1985年）。

1987－1991年曾任中国物理学会理事长。

主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的科学研究并取得多项国际水平的成果，是中国半导体物理学研究的开创者之一，为中国物理学研究和科学技术事业的发展作出了突出贡献。

50年代与合作者首先提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论，此领域的这一奠基性理论受到国际学术界高度重视，并被称为“黄-佩卡尔理论”。

1951年首先提出晶体中声子与电磁波的耦合振动模式，1963年被国际上的喇曼散射实验所证实，系固体光学研究中一种基本运动形式，被称为一种元激发，当时提出的基本方程在国际上被称为“黄方程”，至今经常被采用。

40年代首次提出固体中杂质缺陷导致X光漫散射的理论，成为研究固体中杂质缺陷的一项有力手段，被国际上称为“黄散射”。

组织和推动了中国半导体超晶格材料和物理研究工作的开展，并在超晶格电子态、晶格振动理论、喇曼散射微观理论等方面进行了系统深入的研究，取得多项重要成果。

70年代后期关于无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论等价性的证明，澄清了国际上20多年来在这方面理论发展中存在的问题。

与玻恩教授合著的《点阵动力学理论》一书，被公认为该领域的权威著作。

2020年9月19日，中国邮政发行《中国现代科学家（八）》纪念邮票一套4枚。

入选的4位科学家分别是：应用光学家王大珩，固体物理、半导体物理学家黄昆，核物理学家于敏，数学家陈景润。

图为固体物理、半导体物理学家黄昆

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